稀有分散金属镓铟铊铼钍
碳化硅氮化镓迎拐点,产能与需求双向博弈


2026 年开年以来,第三代半导体赛道持续引爆市场,三大核心事件成为全网关注焦点:国内多条 8 英寸碳化硅(SiC)产线密集通线量产,国产导电型衬底市占率首次登顶全球;氮化镓(GaN)突破消费电子边界,正式进军车规主驱与 AI 服务器电源赛道;全球厂商加速扩产叠加衬底价格持续下行,“产能过剩论” 与 “需求爆发论” 激烈博弈,成为资本市场核心主线。



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